一、芯片架構(gòu)與加密機制深度剖析
航順 HK32F030C8T6 作為國產(chǎn)高性能 32 位 MCU，基于 ARM Cortex-M0 內(nèi)核，主頻高達 72MHz，集成64KB Flash、10KB SRAM及豐富外設(shè)（如 2 路 USART、2 路 SPI、12 位 ADC），廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、消費電子等領(lǐng)域。其加密體系融合物理級熔絲鎖死、動態(tài)密鑰驗證和指令混淆三重防護：
1. 物理層：讀保護熔絲位（Read Protection）
燒寫0x1FFFF800 地址的保護位后，禁用SWD/JTAG 調(diào)試接口，防止直接讀取 Flash 代碼。
鎖死后嘗試下載會觸發(fā)總線數(shù)據(jù)掩碼，返回全 FF 虛假數(shù)據(jù)（實測某智能門鎖項目中，誤操作鎖死后 J-Link 提示 “無法連接目標”）。
熔絲位特性：采用雙點熔斷設(shè)計，需通過聚焦離子束（FIB）修復(fù)。
2. 算法層：動態(tài)加密驗證
支持DES 算法和HASH 運算雙重驗證：
預(yù)存 8 字節(jié)密碼，通過隨機數(shù) + DES 運算生成校驗值。
HASH 對比方式增加暴力破解難度（需遍歷2^64 種組合）。
密鑰生成與RTC 時鐘綁定，每小時自動更新（某工業(yè)儀表案例中，密鑰公式為Key = (ADC_Value ^ RTC_Time) << (TEMP_Sensor >> 4)）。
3. 協(xié)議層：安全引導(dǎo)流程
啟動時執(zhí)行ROM 代碼完整性校驗，需通過16 字節(jié) HMAC 密鑰驗證。若 3 次驗證失敗，觸發(fā)自毀機制擦除關(guān)鍵數(shù)據(jù)。
通信波特率支持動態(tài)跳變（4800-115200bps），增加協(xié)議分析難度。
 
 
二、解密技術(shù)路徑與實戰(zhàn)突破
方案 1：非侵入式調(diào)試接口恢復(fù)（成功率 70%）
利用 HK32 與 STM32 的指令兼容性，通過 J-Flash 工具操作：
型號偽裝：因 HK32 型號未完全支持，選擇STM32F030C8T6（Flash 容量一致）。
硬件配置：
BOOT0 拉低，確保從系統(tǒng)存儲器啟動。
短接復(fù)位電路，確保穩(wěn)定的 0.3ms 復(fù)位時序。
指令執(zhí)行：
bash
JLink> connect  
JLink> erase  
JLink> mem 0x1FFFF800 10  # 驗證前兩字節(jié)為A5 5A即成功  
 
注意事項：需禁用芯片內(nèi)部SWDIO Pull-down 電阻（通過外部上拉至 3.3V）。
方案 2：差分功耗分析（DPA）
針對動態(tài)密鑰生成，搭建μA 級功耗監(jiān)測平臺：
捕獲密碼驗證瞬間的電流波動，發(fā)現(xiàn)功耗曲線與ADC 采樣值強相關(guān)。
推導(dǎo)密鑰公式：
math
Key = (ADC_Value ^ RTC_Time) << (TEMP_Sensor >> 4)  
 
編寫時序攻擊腳本，2 小時內(nèi)完成 10 萬次密鑰猜測（需同步監(jiān)測 RTC 時鐘）。
方案 3：物理修復(fù)熔絲位（侵入式）
針對深度鎖死芯片，采用聚焦離子束（FIB）技術(shù)：
芯片開封：激光剝離 LQFP-48 封裝，保留鈍化層（耗時約 6 小時）。
晶圓成像：通過 SEM 掃描定位熔絲位（位于 Flash 控制器左側(cè)）。
線路重構(gòu)：在 300nm 精度下連接熔絲兩端的 N 型阱區(qū)，恢復(fù) SWD 調(diào)試接口。
 
 
三、實戰(zhàn)案例：某工業(yè)伺服驅(qū)動器解密實錄
項目背景：客戶設(shè)備因升級失敗鎖死，需恢復(fù)電機控制算法和編碼器校準數(shù)據(jù)。
實施步驟：
電壓毛刺攻擊：在 SWCLK 線注入**±0.2V 脈沖**，觸發(fā)芯片進入測試模式。
內(nèi)存鏡像：通過 JTAG 邊界掃描獲取未加密的SRAM 數(shù)據(jù)（0x20000000-0x20003FFF）。
代碼重構(gòu)：結(jié)合 DPA 分析和 FIB 修復(fù)，48 小時內(nèi)還原完整程序。
 
 
維動智芯HK32F030解密方案
? 全場景支持：讀保護鎖死、動態(tài)加密、物理損傷芯片。
? 獨家工具：J-Flash兼容破解套件+功耗分析平臺。
? 量產(chǎn)服務(wù)：提供自動化解密工裝，單芯片成本低至$20。